Silicon Carbide SiC

Description

Silicon Carbide Wafer SiC, бул өтө катуу, синтетикалык жол менен MOCVD ыкмасы менен кремний менен көмүртектен жасалган кристаллдык кошулма жана экспонаттаранын уникалдуу кең тилкеси жана жылуулук кеңейүү коэффициентинин башка жагымдуу мүнөздөмөлөрү, жогорку иштөө температурасы, жакшы жылуулук таркатылышы, төмөнкү коммутация жана өткөргүч жоготуулар, көбүрөөк энергияны үнөмдөөчү, жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк жана күчтүү электр талаасынын бузулуу күчү, ошондой эле көбүрөөк топтолгон токтар абалы.Western Minmetals (SC) корпорациясындагы Silicon Carbide SiC 2″ 3' 4“ жана 6″ (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) диаметрде, өнөр жай үчүн n-тип, жарым изоляциялоочу же жасалма пластинка менен берилиши мүмкүн. жана лабораториялык application.Any ылайыкташтырылган спецификация дүйнө жүзү боюнча биздин кардарлар үчүн идеалдуу чечим болуп саналат.

Тиркемелер

Жогорку сапаттагы 4H/6H Silicon Carbide SiC пластинкасы көптөгөн заманбап мыкты тез, жогорку температурадагы жана жогорку вольттуу электрондук шаймандарды, мисалы, Шоттки диоддору жана SBD, жогорку кубаттуулуктагы коммутация MOSFET жана JFET ж.б. өндүрүү үчүн идеалдуу. ошондой эле изоляцияланган биполярдык транзисторлорду жана тиристорлорду изилдөөдө жана иштеп чыгууда керектүү материал.Кремний карбиди SiC пластинкасы жаңы муундагы жарым өткөргүч материал катары, ошондой эле жогорку кубаттуулуктагы светодиоддордун компоненттеринде эффективдүү жылуулук таркатуучу же келечектеги максаттуу илимий изилдөөлөрдүн пайдасына GaN катмарын өстүрүү үчүн туруктуу жана популярдуу субстрат катары кызмат кылат.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

Silicon Carbide SiC

Silicon Carbide SiCWestern Minmetals (SC) корпорациясында 2″ 3' 4“ жана 6″ (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) диаметрде, өнөр жай жана лабораториялык колдонуу үчүн n-тип, жарым изоляциялоочу же жасалма пластиналар менен камсыз кылынышы мүмкүн. .Ар кандай ылайыкташтырылган спецификация дүйнө жүзү боюнча биздин кардарлар үчүн идеалдуу чечим болуп саналат.

Сызыктуу формула	SiC
Молекулярдык Салмак	40.1
Кристаллдык түзүлүш	Wurtzite
Көрүнүш	Катуу
Эрүү чекити	3103±40К
Кайноо чекити	Жок
тыгыздыгы 300K	3,21 г/см³
Energy Gap	(3.00-3.23) eV
Ички каршылык	>1E5 Ом-см
CAS номери	409-21-2
EC номери	206-991-8

Жок.	Items	Стандарттык спецификация
1	SiC өлчөмү	2"	3"	4"	6"
2	Диаметри мм	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Өсүү ыкмасы	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Өткөргүчтүк түрү	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Каршылык Ω-см	0.015-0.028;0.02-0.1;>1Э5
6	Багыттоо	0°±0,5°;4,0° <1120> карай
7	Калыңдыгы мкм	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Негизги батир жайгашкан	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Негизги жалпак узундук мм	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Экинчи батир жайгашкан	Кремний бети өйдө карай: 90°, сааттын жебеси боюнча эң жогорку батирден ±5,0°
11	Secondary Flat Length mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV мкм макс	15	15	15	15
13	Жаа μm макс	40	40	40	40
14	Согулуу мкм макс	60	60	60	60
15	Четтен чыгуу мм макс	1	2	3	3
16	Микропродукттун тыгыздыгы см-2	<5, өнөр жай;<15, лаборатория;<50, муляж
17	Дислокация см-2	<3000, өнөр жай;<20000, лаборатория;<500000, муляж
18	Беттик тегиздик nm макс	1 (жылтырылган), 0,5 (CMP)
19	Жаракалар	Жок, өнөр жай классы үчүн
20	Hexagonal Plates	Жок, өнөр жай классы үчүн
21	сызыктар	≤3мм, жалпы узундугу субстрат диаметринен аз
22	Edge Chips	Жок, өнөр жай классы үчүн
23	Таңгактоо	Жалгыз вафли контейнер алюминий курама баштыкка мөөр басылган.

Кремний карбиди SiC 4H/6Hжогорку сапаттагы пластинка Шоттки диоддору жана SBD, жогорку кубаттуулуктагы коммутатор MOSFETs жана JFET ж. изоляцияланган биполярдык транзисторлорду жана тиристорлорду изилдөө жана иштеп чыгуу.Кремний карбиди SiC пластинкасы жаңы муундагы жарым өткөргүч материал катары, ошондой эле жогорку кубаттуулуктагы светодиоддордун компоненттеринде эффективдүү жылуулук таркатуучу же келечектеги максаттуу илимий изилдөөлөрдүн пайдасына GaN катмарын өстүрүү үчүн туруктуу жана популярдуу субстрат катары кызмат кылат.