Индий арсениди InAs

Description

Индий арсениди InAs кристалл - III-V тобунун татаал жарым өткөргүчү, жок эле дегенде 6N 7N таза индий жана мышьяк элементи менен синтезделген жана VGF же Суюктук капсулдалган Czochralski (LEC) процесси менен өстүрүлгөн монокристалл, боз түстүү көрүнүшү, цинк-былжырлуу структурасы бар куб кристаллдары. , эрүү температурасы 942 °C.Индий арсенидинин тилкесинин боштугу галлий арсенидине окшош түз өтүү болуп саналат жана тыюу салынган тилке туурасы 0,45eV (300K).InAs кристаллында электрдик параметрлердин жогорку бирдейлиги, туруктуу тор, электрондордун жогорку мобилдүүлүгү жана кемтик тыгыздыгы төмөн.VGF же LEC тарабынан өстүрүлгөн цилиндр түрүндөгү InAs кристаллдары кесилип, кесилген, чийилген, жылмаланган же MBE же MOCVD эпитаксиалдык өсүш үчүн эпи-даяр болгон пластинкага кесилиши мүмкүн.

Тиркемелер

Индиум арсенидинин кристалл пластинкасы Холл шаймандарын жана магнит талаасынын сенсорун жасоо үчүн эң сонун субстрат, анын жогорку холл мобилдүүлүгү үчүн, бирок тар энергия диапазону, толкун узундугу 1–3,8 мкм болгон инфракызыл детекторлорду куруу үчүн идеалдуу материал. бөлмө температурасында, ошондой эле 2-14 мкм толкун узундугу диапазону үчүн орто толкун узундуктагы инфракызыл супер тор лазерлер, орто инфракызыл LEDs аппараттарды даярдоо.Мындан тышкары, InAs гетерогендүү InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb же AlGaSb супер тор түзүлүшүн андан ары колдоо үчүн идеалдуу субстрат болуп саналат.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

Индий арсениди

InAs

Индий арсенидинин кристалл пластинкасыХолл шаймандарын жана магнит талаасынын сенсорлорун жасоо үчүн мыкты субстрат, ал эми анын жогорку холл мобилдүүлүгү үчүн, бирок тар энергия диапазону, бөлмө температурасында жогорку кубаттуулуктагы колдонмолордо колдонулган 1–3,8 мкм толкун узундуктагы инфракызыл детекторлорду куруу үчүн идеалдуу материал, ошондой эле анын 2-14 мкм толкун узундуктагы диапазону үчүн орто толкун узундуктагы инфракызыл супер тордук лазерлер, орто инфракызыл светодиоддор түзмөктөрүн жасоо.Мындан тышкары, InAs гетерогендүү InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb же AlGaSb супер тор түзүлүшүн андан ары колдоо үчүн идеалдуу субстрат болуп саналат.

Жок.	Items	Стандарттык спецификация
1	Өлчөмү	2"	3"	4"
2	Диаметри мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Өсүү ыкмасы	LEC	LEC	LEC
4	Өткөргүчтүк	P-түрү/Zn-кошулган, N-типи/S-кошулган, Кошулбаган
5	Багыттоо	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Калыңдыгы мкм	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±2	32±2
8	Идентификация Жалпак мм	8±1	11±1	18±1
9	Мобилдүүлүк см2/Vs	60-300, ≥2000 же талапка ылайык
10	Ташуучунун концентрациясы см-3	(3-80)E17 же ≤5E16
11	TTV мкм макс	10	10	10
12	Жаа μm макс	10	10	10
13	Согулуу мкм макс	15	15	15
14	Дислокациянын тыгыздыгы см-2 макс	1000	2000	5000
15	Беттик бүтүрүү	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Таңгактоо	Алюминий баштыкка жабылган жалгыз вафли контейнери.

Сызыктуу формула	InAs
Молекулярдык Салмак	189.74
Кристаллдык түзүлүш	Цинк аралашмасы
Көрүнүш	Боз кристаллдуу катуу
Эрүү чекити	(936-942)°C
Кайноо чекити	Жок
тыгыздыгы 300K	5,67 г/см³
Energy Gap	0,354 эВ
Ички каршылык	0,16 Ом-см
CAS номери	1303-11-3
EC номери	215-115-3

Индий арсениди InAsWestern Minmetals (SC) корпорациясында диаметри 2" 3" жана 4" (50мм, 75мм, 100мм) өлчөмүндөгү поликристаллдуу кесек же монокристалл кесилген, оюлган, жылмаланган же эпи-даяр пластиналар түрүндө берилиши мүмкүн жана p-тип, n-тип же кошулбаган өткөргүчтүк жана <111> же <100> багыт.Ыңгайлаштырылган спецификация дүйнө жүзү боюнча биздин кардарлар үчүн эң сонун чечим болуп саналат.