Кадмий марганец теллуриди CdMnTe 5N

Description

Кадмий марганец теллуриди CdMnTe же CMT99,999% 5N тазалыгы, (Cd_0,8-0,9Mn_0,1-0,2Te, Cd_0,63Mn_0,37Те же башка атомдук катыш Cd_1-xMn_xTe), кадмийдин, марганецтин жана теллурдун синтезделген бирикмеси жана алты бурчтуу түзүлүшкө кристаллдашкан.Кадмий марганец теллуриди CdMnTe (Cd_1-xMn_xТе) бөлмө температурасындагы рентген жана гамма-нурланууларды аныктоо үчүн келечектүү материал болуп саналат.1,7-2,2 эВ жарым өткөргүч кристаллынын модификацияланган калкып жүрүүчү зоналык ыкмасы FZM же Traveling Heater Method THM же Vertical Bridgman VB методдору менен өстүрүлгөн кең тилкелүү боштук менен, ал жогорку каршылыкка, чоң көлөмдүү монокристаллга жана жогорку мобилдүүлүк-өмүр бою кристалл, ал ар кандай Mn октук бөлүштүрүлүшүн, аралашманын концентрациясын, каршылыкты, кемчиликтерсиз, Холл эффекттерин жана энергетикалык жооп спектрлерин мүнөздөйт.THM өстүрүлгөн кристаллдын өткөргүчтүгү начар N-тиби жана VB P-тиби.Western Minmetals (SC) корпорациясындагы кадмий марганец теллуриди 99,999% 5N тазалыгы менен порошок, гранул, кесек 1-20 мм кесек, кесек, диск D32, D50 жана вакуумдук композиттүү алюминий баштык пакети бар тилке же ылайыкташтырылган спецификация катары жеткирилиши мүмкүн. идеалдуу чечимге жетүү үчүн.вакуумдук курама алюминий баштык пакети менен.

Тиркемелер

Жалгыз кадмий-марганец-теллуриддик кристалл дагы узунураак толкундардагы оптикалык изолятор үчүн эффективдүү материал катары Pockels жана чоңураак Фарадей эффекттерин көрсөтөт. , магнит талаасынын сенсору, көрүнүүчү жана жакын IR лазерлери жана фотоэлектрдик пленка клеткасы, электро-оптикалык модулятор жана башка оптикалык фотоэлектрдик материал үчүн колдонулат.Жалпысынан алганда, ал белгилүү CdZnTe детекторлоруна альтернативалуу детектордук материал катары CdZnTe жана баалуулуктарга караганда бир нече потенциалдуу артыкчылыктарды сунуш кылат.