Галий фосфиди GaP

Description

Галлий фосфиди GaP, башка III-V кошунду материалдар сыяктуу уникалдуу электрдик касиеттердин маанилүү жарым өткөргүчү, термодинамикалык жактан туруктуу куб ZB түзүмүндө кристаллдашат, 2,26 эВ (300К) кыйыр диапазону бар кызгылт сары түстөгү жарым тунук кристалл материалы болуп саналат. 6N 7N жогорку тазалыктагы галлийден жана фосфордон синтезделип, Суюктук капсулдатылган Чехральски (LEC) ыкмасы менен монокристаллга айландырылган.Галлий фосфидинин кристалы n-типтүү жарым өткөргүчтү алуу үчүн күкүрт же теллур кошулган, ал эми оптикалык системада, электрондук жана башка оптоэлектроника түзүлүштөрүндө колдонулуучу каалаган пластинаны андан ары даярдоо үчүн p-типтүү өткөргүч катары цинк кошулган.Single Crystal GaP пластинкасы LPE, MOCVD жана MBE эпитаксиалдык колдонмоңуз үчүн Epi-Ready даярдалышы мүмкүн.Western Minmetals (SC) корпорациясында жогорку сапаттагы бир кристалл Gallium phosphide GaP пластинкасы p-тип, n-тип же кошулбаган өткөргүчтүк 2 "жана 3" (50мм, 75мм диаметри), багыты <100>, <111 өлчөмүндө сунушталышы мүмкүн. > кесилген, жылмаланган же эпи-даяр процесстин бети менен.

Тиркемелер

Аз ток жана жарык чыгарууда жогорку эффективдүү, Gallium phosphide GaP пластинасы арзан кызыл, кызгылт сары жана жашыл жарык берүүчү диоддор (LED) жана сары жана жашыл ЖКнын арткы жарыгы сыяктуу оптикалык дисплей системалары үчүн ылайыктуу. төмөн жана орто жарыктык, GaP ошондой эле инфракызыл сенсорлорду жана мониторинг камераларын өндүрүү үчүн негизги субстрат катары кеңири колдонулат.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

Галий фосфиди GaP

Western Minmetals (SC) корпорациясында жогорку сапаттагы монокристалл Gallium Phosphide GaP пластинасы же субстрат p-түрү, n-типи же кошулбаган өткөргүчтүгү диаметри 2 "жана 3" (50мм, 75мм) өлчөмүндө сунушталышы мүмкүн, багыты <100> , <111> бети кесилген, лакталган, оюлган, жылмаланган, эпи-даяр иштетилген, алюминий курама баштыкка мөөр басылган бир вафли контейнеринде же идеалдуу чечимге ылайыкташтырылган спецификация катары.

Жок.	Items	Стандарттык спецификация
1	GaP өлчөмү	2"
2	Диаметри мм	50,8 ± 0,5
3	Өсүү ыкмасы	LEC
4	Өткөргүчтүк түрү	P-тип/Zn-кошулган, N-тип/(S, Si,Te)-кошулган, кошулбаган
5	Багыттоо	<1 1 1> ± 0,5°
6	Калыңдыгы мкм	(300-400) ± 20
7	Каршылык Ω-см	0,003-0,3
8	Orientation Flat (OF) мм	16±1
9	Identification Flat (IF) mm	8±1
10	Холл кыймылдуулугу см2/Vs мин	100
11	Ташуучунун концентрациясы см^-3	(2-20) E17
12	Дислокациянын тыгыздыгы см^-2макс	2.00E+05
13	Беттик бүтүрүү	P/E, P/P
14	Таңгактоо	Жалгыз вафли контейнер алюминий курама баштыкка мөөр басылган, сыртында картон куту

Сызыктуу формула	GaP
Молекулярдык Салмак	100.7
Кристаллдык түзүлүш	Цинк аралашмасы
Көрүнүш	Апельсин катуу
Эрүү чекити	Жок
Кайноо чекити	Жок
тыгыздыгы 300K	4,14 г/см³
Energy Gap	2,26 эВ
Ички каршылык	Жок
CAS номери	12063-98-8
EC номери	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, жарык чыгарууда аз ток жана жогорку эффективдүү, арзан кызыл, кызгылт сары жана жашыл жарык чыгаруучу диоддор (LED) жана сары жана жашыл ЖКнын арткы жарыгы сыяктуу оптикалык дисплей системалары үчүн ылайыктуу жарыктык, GaP ошондой эле инфракызыл сенсорлорду жана мониторинг камераларын өндүрүү үчүн негизги субстрат катары кеңири колдонулат.