Индий оксиди

Description

Индий оксиди In₂O₃же индий триоксиди 99,99%, 99,995%, 99,999% жана 99,9999%, микропорошок же нанобөлүкчө ачык сары катуу порошок, CAS 1312-43-3, тыгыздыгы 7,18г/см³жана болжол менен 2000° эрийтC, сууда эрибеген, бирок ысык органикалык эмес кислотада эрүүчү туруктуу керамика сымал материал.Индий оксиди In₂O₃аз каршылыгы, жогорку каталитикалык активдүүлүгү жана оптоэлектрондук колдонмолор үчүн кенен тилке ажырымы бар n-типтеги жарым өткөргүч функциясынын материалы. Индий оксиди In₂O₃Western Minmetals (SC) Corporation компаниясында 99,99%, 99,995%, 99,999% жана 99,9999% тазалыкта 2-10 микрон өлчөмүндө же -100 тор порошок жана нано сорттогу, 1 кг полиэтилен бөтөлкө менен капталган полиэтилен бөтөлкөсүнө салынган, же 1кг, 2кг 5кг композиттик алюминий баштыкка сыртында картон кутучасы менен же идеалдуу чечимдерге ылайыкташтырылган мүнөздөмөлөр катары.

Тиркемелер

Индий оксиди In₂O₃фотоэлектрдик, газ датчиги, жука пленкалуу инфра-кызыл рефлекторлор, катализатордук колдонуу, атайын айнек түстүү кошумчасы, щелочтуу батареялар жана жогорку токтун электр өчүргүчтөрү жана контакттары, металл күзгүнүн коргоочу каптоосу жана электро-оптикалык жарым өткөргүч пленкасы үчүн кеңири колдонулат. дисплей ж.б. In₂O₃дисплейлер, энергияны үнөмдөөчү терезелер жана фотоэлектрдик энергия үчүн ITO максатынын негизги түзүүчүсү болуп саналат.Мындан тышкары, In₂O₃p-InP, n-GaAs, n-Si жана башка жарым өткөргүчтөр сыяктуу материалдар менен гетероошууларды түзүү үчүн ИКтерде резистивдүү элемент катары саналат.Ошол эле учурда, беттик эффекти, кичинекей өлчөмдө жана макроскопиялык кванттык туннелдик эффектке ээ,Nano In₂O₃биринчи кезекте оптикалык жана антистатикалык каптоо, тунук өткөргүч жабууларды колдонуу үчүн.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

In₂O₃

Көрүнүш	Сары порошок
Молекулярдык Салмак	277.63
тыгыздыгы	7,18 г/см³
Эрүү чекити	2000°C
CAS №	1312-43-2

Жок.	пункт		Стандарттык спецификация
1	Purity In₂O₃≥		Таза эместик (ICP-MS Test Report PPM Max ар бири)
2	4Н	99,99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	Жалпысынан ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1,0, Si 2,0, Fe/Ca 5,0	Жалпысынан ≤50
	5Н	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0,5, Ca/Sn/Ti 1,0	Жалпысынан ≤10
	6Н	99.9999%	Сураныч боюнча жеткиликтүү	Жалпысынан ≤1,0
3	Өлчөмү		4N 5N5 5N тазалыгы үчүн 2-10μm порошок, 6N тазалыгы үчүн -100mesh порошок
4	Таңгактоо		1 кг полиэтилен бөтөлкөдө, сырты жабылган желим баштык менен

Индий оксиди In₂O₃ же индий триоксиди In₂O₃Western Minmetals (SC) корпорациясында 99,99%, 99,995%, 99,999% жана 99,9999% тазалыкта 4N 4N5 5N 6N өлчөмүндө 2-10 микрон же -100 тор порошок жана нано сорт, 1 кг полиэтилен бөтөлкө менен таңгакталган. мөөр басылган желим баштык, андан кийин сыртында картон куту, же идеалдуу чечимдерге ылайыкташтырылган спецификациялар катары.

Индий оксиди In₂O₃фотоэлектрдик, газ датчиги, жука пленкалуу инфра-кызыл рефлекторлор, катализатордук колдонуу, атайын айнек түстүү кошумчасы, щелочтуу батареялар жана жогорку токтун электр өчүргүчтөрү жана контакттары, металл күзгүнүн коргоочу каптоосу жана электро-оптикалык жарым өткөргүч пленкасы үчүн кеңири колдонулат. дисплей ж.б. In₂O₃дисплейлер, энергияны үнөмдөөчү терезелер жана фотоэлектрдик энергия үчүн ITO максаттуу негизги түзүүчүсү болуп саналат.Мындан тышкары, In₂O₃p-InP, n-GaAs, n-Si жана башка жарым өткөргүчтөр сыяктуу материалдар менен гетероошууларды түзүү үчүн ИКтерде резистивдүү элемент катары саналат.Ошол эле учурда, беттик эффектке, кичинекей өлчөмдө жана макроскопиялык кванттык туннелдик эффектке ээ, Nano In₂O₃биринчи кезекте оптикалык жана антистатикалык каптоо, тунук өткөргүч жабууларды колдонуу үчүн.