Галий антимониди GaSb

Description

Галий антимониди GaSb, цинк-бленддик торлуу түзүлүштөгү III-V группадагы бирикмелердин жарым өткөргүч, 6N 7N жогорку тазалыктагы галлий жана сурьма элементтери менен синтезделип, багыттуу тоңдурулган поликристалл куймасынан же EPD<1000см менен VGF ыкмасынан LEC ыкмасы менен кристаллга чейин өстүрүлөт.^-3.GaSb пластинасын электрдик параметрлеринин жогорку бирдейлиги, уникалдуу жана туруктуу тор түзүмдөрү жана кемтик тыгыздыгы аз, сынуу көрсөткүчү эң башка металл эмес кошулмаларга караганда бир кристаллдык куймага кесип, андан кийин жасоого болот.GaSb так же өчүрүлгөн ориентацияда, аз же жогорку легирленген концентрацияда, беттин жакшы жасалгасында жана MBE же MOCVD эпитаксиалдык өсүш үчүн кеңири тандоо менен иштетилиши мүмкүн.Gallium Antimonide субстраты эң алдыңкы фото-оптикалык жана оптоэлектрондук колдонмолордо колдонулат, мисалы, фотодетекторлорду, узак мөөнөттүү, жогорку сезгичтикке жана ишенимдүүлүккө ээ инфракызыл детекторлор, фоторезисттик компонент, инфракызыл LED жана лазерлер, транзисторлор, жылуулук фотоэлектрдик клеткалар. жана термо-фотоэлектрдик системалар.

Жеткирүү

Western Minmetals (SC) корпорациясындагы Gallium Antimonide GaSb n-тип, p-тип жана кошулбаган жарым изоляциялык өткөргүчтүгү 2” 3” жана 4” (50мм, 75мм, 100мм) диаметри, багыты <111> менен сунушталышы мүмкүн. же <100>, ошондой эле кесилген, чийилген, жылмаланган же жогорку сапаттагы эпитаксиялык даяр фиништерден жасалган пластинка бети менен.Бардык тилкелер иденттүүлүк үчүн өзүнчө лазер менен сызылган.Ошол эле учурда, поликристаллдуу галлий антимониди GaSb кесек, ошондой эле кемчиликсиз чечим суроо-талабы боюнча ылайыкташтырылган.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

Галлий антимониди

GaSb

Галий антимониди GaSbсубстрат фото детекторлорду, узак мөөнөттүү, жогорку сезгичтиги жана ишенимдүүлүгү бар инфракызыл детекторлорду, фоторезисттик компонентти, инфракызыл светодиоддорду жана лазерлерди, транзисторлорду, жылуулук фотоэлектрдик клеткаларды жана термоэлектрондуктарды жасоо сыяктуу эң алдыңкы фото-оптикалык жана оптоэлектрондук колдонмолордо колдонулат. - фотоэлектрдик системалар.

	Items	Стандарттык спецификация
1	Өлчөмү	2"	3"	4"
2	Диаметри мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Өсүү ыкмасы	LEC	LEC	LEC
4	Өткөргүчтүк	P-тип/Zn-кошулган, Кошумчаланбаган, N-тип/Te-кошулган
5	Багыттоо	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Калыңдыгы мкм	500±25	600±25	800±25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Идентификация Жалпак мм	8±1	11±1	18±1
9	Мобилдүүлүк см2/Vs	200-3500 же талапка жараша
10	Ташуучунун концентрациясы см-3	(1-100)E17 же талапка ылайык
11	TTV мкм макс	15	15	15
12	Жаа μm макс	15	15	15
13	Согулуу мкм макс	20	20	20
14	Дислокациянын тыгыздыгы см-2 макс	500	1000	2000
15	Беттик бүтүрүү	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Таңгактоо	Алюминий баштыкка жабылган жалгыз вафли контейнери.

Сызыктуу формула	GaSb
Молекулярдык Салмак	191.48
Кристаллдык түзүлүш	Цинк аралашмасы
Көрүнүш	Боз кристаллдуу катуу
Эрүү чекити	710°C
Кайноо чекити	Жок
тыгыздыгы 300K	5,61 г/см³
Energy Gap	0,726 эВ
Ички каршылык	1E3 Ом-см
CAS номери	12064-03-8
EC номери	235-058-8

Галий антимониди GaSbWestern Minmetals (SC) корпорациясында диаметри 2” 3” жана 4” (50мм, 75мм, 100мм), багыты <111> же <100 өлчөмүндөгү n-тип, p-тип жана кошулбаган жарым изоляциялык өткөрүмдүүлүк менен сунуш кылынышы мүмкүн. >, ошондой эле кесилген, оюлган, жылмаланган же жогорку сапаттагы эпитаксиялык даяр фиништерден жасалган пластинка бети менен.Бардык тилкелер иденттүүлүк үчүн өзүнчө лазер менен сызылган.Ошол эле учурда, поликристаллдуу галлий антимониди GaSb кесек, ошондой эле кемчиликсиз чечим суроо-талабы боюнча ылайыкташтырылган.