FZ NTD Silicon Wafer

Description

FZ-NTD кремний пластинкасы, Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer катары белгилүү.Кычкылтексиз, жогорку тазалыктагы жана эң жогорку каршылыктагы кремнийди алууга болот бy Float-zone FZ ( Zone-Floating) кристалл өсүшү, Hжогорку каршылыктагы FZ кремний кристаллына көбүнчө Нейтрондук Трансмутация Допинг (NTD) процесси кошулат, мында нейтрондук нурлануу нейтрондор менен кармалып калган кремний изотопторуна айлануу жана допинг максатына жетүү үчүн керектүү кошумча заттарга ажырайт.Нейтрондук нурлануунун деңгээлин жөнгө салуу аркылуу каршылыкты тышкы кошумча заттарды киргизбестен эле өзгөртүүгө болот, демек, материалдык тазалыкка кепилдик берет.FZ NTD кремний пластиналары (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) бирдиктүү допинг концентрациясынын жана бирдей радиалдык каршылыктын бөлүштүрүлүшүнүн, эң төмөнкү аралашмалардын деңгээлинин жогорку техникалык касиеттерине ээ,жана жогорку азчылык ташуучу өмүрү.

Жеткирүү

Келечектүү энергия колдонуу үчүн NTD кремнийинин рыноктун алдыңкы жеткирүүчүсү катары жана жогорку сапаттагы пластинкаларга өсүп жаткан талаптардан кийин, FZ NTD кремний пластинасыat Western Minmetals (SC) Corporation дүйнө жүзү боюнча биздин кардарларга 2″, 3″, 4″, 5″ жана 6″ диаметрден (50мм, 75мм, 100мм, 125мм жана 150мм) чейин жана каршылыктын кеңири диапазонунда сунушталышы мүмкүн. 5тен 2000 ом.смге чейин <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> багыттары менен кесилген, сырдалган, оюлган жана жылмаланган бети менен көбүк кутусунун же кассетанын таңгагында , же идеалдуу чечимге ылайыкташтырылган спецификация катары.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

FZ NTD Silicon Wafer

Келечектүү электрдик колдонмолор үчүн FZ NTD кремнийинин рыноктун алдыңкы жеткирүүчүсү катары жана жогорку сапаттагы пластинкаларга болгон талаптардын өсүшүнөн кийин, Western Minmetals (SC) Корпорациясындагы FZ NTD кремний пластинкасы дүйнө жүзү боюнча биздин кардарларга 2ден 2 чейин ар кандай өлчөмдө сунушталышы мүмкүн. Диаметри ″дан 6″ге чейин (50, 75, 100, 125 жана 150мм) жана каршылыктын кең диапазону 5тен 2000 Ом-смге чейин <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> ориентациялар көбүк кутусунун же кассетанын таңгагында, сыртында картон кутучада же ыңгайлаштырылган спецификация катары лакталган, оюлган жана жылмаланган бети менен.

Жок.	Items	Стандарттык спецификация
1	Өлчөмү	2"	3"	4"	5"	6"
2	Диаметри	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	Өткөргүчтүк	n-түрү	n-түрү	n-түрү	n-түрү	n-түрү
4	Багыттоо	<100>, <111>, <110>
5	Калыңдыгы мкм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 же талапка жараша
6	Каршылык Ω-см	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 же талапка жараша
7	RRV макс	8%, 10%, 12%
8	TTV мкм макс	10	10	10	10	10
9	Жаа/Warp μm макс	30	30	30	30	30
10	Carrier Lifetime μs	>200， >300， >400 же талапка жараша
11	Беттик бүтүрүү	Кесилген, Лапталган, Жылмаланган
12	Таңгактоо	Ичинде көбүк куту, сыртында картон куту.

Негизги материалдык параметр

Символ	Si
Атомдук номер	14
Атомдук Салмак	28.09
Элемент категориясы	Metalloid
Топ, мезгил, блок	14, 3, П
Кристаллдык түзүлүш	Алмаз
Түс	Кочкул боз
Эрүү чекити	1414°С, 1687,15 К
Кайноо чекити	3265°С, 3538,15 К
тыгыздыгы 300K	2,329 г/см³
Ички каршылык	3,2E5 Ом-см
CAS номери	7440-21-3
EC номери	231-130-8

FZ-NTD кремний пластинкасыжогорку кубаттуулуктагы, детектордук технологиялардагы жана экстремалдык шарттарда иштеши керек болгон жарым өткөргүч түзүлүштөрдөгү же пластинка боюнча төмөн каршылыктын өзгөрүүсү талап кылынган колдонмолор үчүн өзгөчө мааниге ээ, мисалы, GTO дарбазасын өчүрүүчү тиристор, статикалык индукциялык тиристор SITH, гигант транзистор GTR, изоляциялык биполярдык транзистор IGBT, кошумча HV диод PIN коду.FZ NTD n-түрү кремний пластинасы ар кандай жыштык өзгөрткүчтөрү, түзөткүчтөр, чоң кубаттуулукту башкаруу элементтери, жаңы кубаттуулуктагы электрондук шаймандар, фотоэлектрондук түзүлүштөр, кремний түзүүчү SR, кремнийди башкаруу SCR жана линзалар жана терезелер сыяктуу оптикалык компоненттер үчүн негизги функционалдык материал катары саналат. terahertz колдонмолор үчүн.