CZ Silicon Wafer

Description

CZ Single Crystal Silicon Wafer Czochralski CZ өстүрүү ыкмасы менен тартылган монокристалл кремний куймасынан кесилген, ал электроника тармагында жарым өткөргүч түзүлүштөрдү жасоо үчүн колдонулган чоң цилиндрдик куймалардын кремний кристалл өстүрүүсү үчүн кеңири колдонулат.Бул процессте кремнийдин эриген ваннасына ориентациянын так толеранттуулугу бар кристалл кремнийдин ичке үрөнү киргизилет, анын температурасы так көзөмөлдөнөт.Уруктук кристалл эритүүдөн акырындык менен жогору карай тартылып, суюк фазадан атомдордун кристаллдык катып калышы бир интерфейсте ишке ашат, бул алуу процессинде урук кристалы жана тигел карама-каршы багытта айланып, чоң бирдик пайда болот. уруктун кемчиликсиз кристаллдык түзүлүшү менен кристалл кремний.

Стандарттык CZ куймасын тартууга колдонулган магнит талаасынын аркасында Магнит талаасынан келип чыккан Czochralski MCZ монокристалл кремнийи салыштырмалуу азыраак аралашма концентрациясына, кычкылтектин төмөн деңгээлине жана дислокацияга, ошондой эле жогорку технологиялык электрондук компоненттерде жана түзүлүштөрдө жакшы иштеген бир түрдүү каршылыктын өзгөрүшүнө ээ. электроникалык же фотоэлектрдик өнөр жайда өндүрүш.

Жеткирүү

Western Minmetals (SC) корпорациясында CZ же MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-тип жана p-түрү өткөргүчтүгү 2, 3, 4, 6, 8 жана 12 дюймдук диаметрде (50, 75, 100, 125, 150, 200 жана 300мм), багыты <100>, <110>, <111> сыртында картон кутучасы бар пенопласттын пакетинде же кассетада сүртүлгөн, оюлган жана жылмаланган бети менен.

Азыр сура

Толук маалымат

Тегдер

Техникалык спецификация

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer интегралдык схемаларды, диоддорду, транзисторлорду, дискреттик компоненттерди өндүрүүдө негизги материал болуп саналат, электрондук жабдуулардын жана жарым өткөргүч түзүлүштөрдүн бардык түрлөрүндө колдонулат, ошондой эле эпитаксиалдык иштетүүдө субстрат, SOI пластинкасынын субстраты же жарым изоляциялоочу кошулма пластиналарды жасоодо, өзгөчө чоң 200мм, 250мм жана 300мм диаметри өтө жогорку интеграцияланган түзүлүштөрдү өндүрүү үчүн оптималдуу болуп саналат.Single Crystal Silicon ошондой эле фотоэлектр өнөр жайы тарабынан күн батареялары үчүн чоң көлөмдө колдонулат, ал дээрлик кемчиликсиз кристалл структурасы жарыкты электр энергиясына которуунун эң жогорку эффективдүүлүгүн берет.

Жок.	Items	Стандарттык спецификация
1	Өлчөмү	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Диаметри мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Өткөргүчтүк	P же N же допингсиз
4	Багыттоо	<100>, <110>, <111>
5	Калыңдыгы мкм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 же талапка жараша
6	Каршылык Ω-см	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ж.б.
7	RRV макс	8%, 10%, 12%
8	Негизги Жалпак/Узундук мм	SEMI стандарты катары же талап кылынгандай
9	Экинчилик жалпак/узундук мм	SEMI стандарты катары же талап кылынгандай
10	TTV мкм макс	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm макс	30	30	30	30	30	30
12	Беттик бүтүрүү	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Таңгактоо	Ичинде көбүк куту же кассета, сыртында картон куту.

Символ	Si
Атомдук номер	14
Атомдук Салмак	28.09
Элемент категориясы	Metalloid
Топ, мезгил, блок	14, 3, П
Кристаллдык түзүлүш	Алмаз
Түс	Кочкул боз
Эрүү чекити	1414°С, 1687,15 К
Кайноо чекити	3265°С, 3538,15 К
тыгыздыгы 300K	2,329 г/см³
Ички каршылык	3,2E5 Ом-см
CAS номери	7440-21-3
EC номери	231-130-8

CZ же MCZ Single Crystal Silicon WaferWestern Minmetals (SC) корпорациясында n-түрү жана p-түрү өткөргүчтүгү 2, 3, 4, 6, 8 жана 12 дюймдук диаметрде (50, 75, 100, 125, 150, 200 жана 300мм) жеткирилиши мүмкүн, багыты <100>, <110>, <111> бети кесилген, лакталган, оюлган жана жылтыратылган көбүк кутусунун пакетинде же сыртында картон кутусу бар кассетада.